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| 规格书 |
 NTD4910N |
| 文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 9 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 15.4nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1203pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.37W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 11.2 A |
| RDS -于 | 9@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11.6|7.3 ns |
| 典型上升时间 | 21.8|19.5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 16.5|20.2 ns |
| 典型下降时间 | 4.2|2 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 9@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 2600 |
| 最大连续漏极电流 | 11.2 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.2A (Ta), 37A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.37W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1203pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15.4nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 2.38mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1203 pF @ 15 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 13 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 27.3 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 11.6 ns |
| 典型关断延迟时间 | 16.5 ns |
| 封装类型 | DPAK |
| 最大连续漏极电流 | 37 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.8 nC @ 4.5v |
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